MOSFET транзистор WML071N15HG2, производителя WayOn
Ключевые параметры WML071N15HG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0.0071 Ом; Qg: 69 нКл; Id: 90 А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML071N15HG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0.0071 Ом; Qg: 69 нКл; Id: 90 А; Корпус: TO-220F
Описание
146 руб./шт
Варианты цен
146 руб./шт
В корзину
SiC-диоды Шоттки производства известной китайской компании WayOn.
PDFN5*6, 650 В, 6 А, 1.43 В, 13.02 нКл
PDFN5*6, 650 В, 6 А, 1.43 В, 13.02 нКл
Описание
89.22 руб./шт
Варианты цен
89.22 руб./шт
В корзину
SiC-диоды Шоттки производства известной китайской компании WayOn.
PDFN5*6, 650 В, 8 А, 1.43 В, 16 нКл
Описание
121.68 руб./шт
Варианты цен
121.68 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WML26N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WML26N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,19 Ом; Qg: 22,1 нКл; Id: 10,5 А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML26N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,19 Ом; Qg: 22,1 нКл; Id: 10,5 А; Корпус: TO-220F
Описание
82.25 руб./шт
Варианты цен
82.25 руб./шт
В корзину
Конденсатор электролитический EXR, 18х41 мм, 50В, 3300мкФ, M (±20%)
Описание
134.40 руб./шт
Варианты цен
134.40 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMO28N15T2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO28N15T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,048 Ом; Qg: 12 нКл; Id: 19,5 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO28N15T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,048 Ом; Qg: 12 нКл; Id: 19,5 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
33.54 руб./шт
Варианты цен
33.54 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ53N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WMJ53N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0.07 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 26 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры WMJ53N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0.07 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 26 А; Корпус: TO-247
Описание
251.75 руб./шт
Варианты цен
251.75 руб./шт
В корзину
Навигационный модуль TAU1103-1010A00E ALLYSTAR, стандартной точности, поддерживает функцию GNSS, совместимость с основными модулями GPS
Описание
432 руб./шт
Варианты цен
432 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMO15N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO15N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,26 Ом; Qg: 14,6 нКл; Id: 7,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO15N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,26 Ом; Qg: 14,6 нКл; Id: 7,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
55.15 руб./шт
Варианты цен
55.15 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMO10N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO10N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,6 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 4,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO10N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,6 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 4,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
35.04 руб./шт
Варианты цен
35.04 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMK161N15T2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMK161N15T2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,006 Ом; Qg: 78 нКл; Id: 115 А; Корпус: TO-220
Ключевые параметры WMK161N15T2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,006 Ом; Qg: 78 нКл; Id: 115 А; Корпус: TO-220
Описание
149.26 руб./шт
Варианты цен
149.26 руб./шт
В корзину
Процессорный модульFET1052-C Forlinx на базе NXP процессора NXP i.MX RT1052
Описание
3 346.20 руб./шт
Варианты цен
3 346.20 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ80N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WMJ80N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,039 Ом; Qg: 103 нКл; Id: 45 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры WMJ80N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,039 Ом; Qg: 103 нКл; Id: 45 А; Корпус: TO-247
Описание
421.75 руб./шт
Варианты цен
421.75 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMK340N20HG2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMK340N20HG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 0,034 Ом; Qg: 23 нКл; Id: 31,6 А; Корпус: TO-220
Ключевые параметры WMK340N20HG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 0,034 Ом; Qg: 23 нКл; Id: 31,6 А; Корпус: TO-220
Описание
95.39 руб./шт
Варианты цен
95.39 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ36N65F2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMJ36N65F2: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0,11 Ом; Qg: 46 нКл; Id: 20 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры WMJ36N65F2: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0,11 Ом; Qg: 46 нКл; Id: 20 А; Корпус: TO-247
Описание
238.64 руб./шт
Варианты цен
238.64 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WML13N50C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WML13N50C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 500 В; Rds(on): 0,48 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 6 А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML13N50C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 500 В; Rds(on): 0,48 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 6 А; Корпус: TO-220F
Описание
42.11 руб./шт
Варианты цен
42.11 руб./шт
В корзину
Резистор металлопленочный 0.25Вт, 13.7 Ом, ±0,1% ,±15ppm
Описание
12.48 руб./шт
Варианты цен
12.48 руб./шт
В корзину