MOSFET транзистор WMO80R1K0S, производителя WayOn
Ключевые параметры
Серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 1,05 Ом; Qg: 13,2 нКл; Id: 3,6 А; Корпус: DPAK (TO-252).
Ключевые параметры
Серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 1,05 Ом; Qg: 13,2 нКл; Id: 3,6 А; Корпус: DPAK (TO-252).
Описание
62.63 руб./шт
Варианты цен
62.63 руб./шт
В корзину
Светодиод белый 3030 LM301H ONE WHITE Samsung, код товара производителя: SPMWHD32AMH1XAH0S0
Внимание: продажа только кратно катушке по 4000шт, цена указана за штуку!
Внимание: продажа только кратно катушке по 4000шт, цена указана за штуку!
Описание
9.17 руб./шт
Варианты цен
9.17 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMB018N04LG2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMB018N04LG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 0,0018 Ом; Qg: 46 нКл; Id: 82 А; Корпус: PDFN5*6-8L
Ключевые параметры WMB018N04LG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 0,0018 Ом; Qg: 46 нКл; Id: 82 А; Корпус: PDFN5*6-8L
Описание
42.35 руб./шт
Варианты цен
42.35 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMO80R720S, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO80R720S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,68 Ом; Qg: 16 нКл; Id: 4,2 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO80R720S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,68 Ом; Qg: 16 нКл; Id: 4,2 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
74.14 руб./шт
Варианты цен
74.14 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMO80R1K5S, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO80R1K5S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 1,5 Ом; Qg: 11,2 нКл; Id: 3 А; Корпус: DPAK (TO-252).
Ключевые параметры WMO80R1K5S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 1,5 Ом; Qg: 11,2 нКл; Id: 3 А; Корпус: DPAK (TO-252).
Описание
43 руб./шт
Варианты цен
43 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMO18N20T2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO18N20T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 0,13 Ом; Qg: 11 нКл; Id: 11,7 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO18N20T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 0,13 Ом; Qg: 11 нКл; Id: 11,7 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
38.08 руб./шт
Варианты цен
38.08 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMO80R480S, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO80R480S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,48 Ом; Qg: 25 нКл; Id: 7,2 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO80R480S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,48 Ом; Qg: 25 нКл; Id: 7,2 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
116.81 руб./шт
Варианты цен
116.81 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMO07N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO07N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 1,14 Ом; Qg: 5,2 нКл; Id: 2,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO07N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 1,14 Ом; Qg: 5,2 нКл; Id: 2,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
25.09 руб./шт
Варианты цен
25.09 руб./шт
В корзину
Минимальное количество к продаже 100шт!
Основные характеристики
P ном. (мощность номинальная): 0.25 Вт
R ном. (сопротивление номинальное): 10 Ом
Точность: F (±1%)
ТКС (температурный коэффициент сопротивления): 50 ppm/°C
Упаковка
Количество в упаковке: 5000шт
Кратность продажи: 100шт
Основные характеристики
P ном. (мощность номинальная): 0.25 Вт
R ном. (сопротивление номинальное): 10 Ом
Точность: F (±1%)
ТКС (температурный коэффициент сопротивления): 50 ppm/°C
Упаковка
Количество в упаковке: 5000шт
Кратность продажи: 100шт
Описание
1.34 руб./шт
Варианты цен
1.34 руб./шт
В корзину
20.60 руб./шт
Варианты цен
20.60 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WM03N57M, производителя WayOn
Ключевые параметры WM03N57M: серия Small Signal MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 0,036 Ом; Qg: 7,5 нКл; Id: 5,8 А; Корпус: SOT-23.
Ключевые параметры WM03N57M: серия Small Signal MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 0,036 Ом; Qg: 7,5 нКл; Id: 5,8 А; Корпус: SOT-23.
Описание
5.03 руб./шт
Варианты цен
5.03 руб./шт
В корзину
Минимальное количество к продаже 100шт!
Основные характеристики
P ном. (мощность номинальная): 0.25 Вт
R ном. (сопротивление номинальное): 36 Ом
Точность: F (±1%)
ТКС (температурный коэффициент сопротивления): 50 ppm/°C
Упаковка
Количество в упаковке: 5000шт
Кратность продажи: 100шт
Основные характеристики
P ном. (мощность номинальная): 0.25 Вт
R ном. (сопротивление номинальное): 36 Ом
Точность: F (±1%)
ТКС (температурный коэффициент сопротивления): 50 ppm/°C
Упаковка
Количество в упаковке: 5000шт
Кратность продажи: 100шт
Описание
0.94 руб./шт
Варианты цен
0.94 руб./шт
В корзину
2 244.38 руб./шт
Варианты цен
2 244.38 руб./шт
В корзину
Минимальное количество к продаже 100шт!
Основные характеристики
P ном. (мощность номинальная): 0.25 Вт
R ном. (сопротивление номинальное): 15 Ом
Точность: F (±1%)
ТКС (температурный коэффициент сопротивления): 50 ppm/°C
Упаковка
Количество в упаковке: 5000шт
Кратность продажи: 100шт
Основные характеристики
P ном. (мощность номинальная): 0.25 Вт
R ном. (сопротивление номинальное): 15 Ом
Точность: F (±1%)
ТКС (температурный коэффициент сопротивления): 50 ppm/°C
Упаковка
Количество в упаковке: 5000шт
Кратность продажи: 100шт
Описание
1.48 руб./шт
Варианты цен
1.48 руб./шт
В корзину
Навигационный модуль TAU1103-1010A00E ALLYSTAR, стандартной точности, поддерживает функцию GNSS, совместимость с основными модулями GPS
Описание
425.26 руб./шт
Варианты цен
425.26 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WML15N65C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WML15N65C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0,3 Ом; Qg: 14,6 нКл; Id: 7,8 А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML15N65C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0,3 Ом; Qg: 14,6 нКл; Id: 7,8 А; Корпус: TO-220F
Описание
68.14 руб./шт
Варианты цен
68.14 руб./шт
В корзину
Минимальное количество к продаже 100шт!
Основные характеристики
P ном. (мощность номинальная): 0.25 Вт
R ном. (сопротивление номинальное): 18 Ом
Точность: F (±1%)
ТКС (температурный коэффициент сопротивления): 50 ppm/°C
Упаковка
Количество в упаковке: 5000шт
Кратность продажи: 100шт
Основные характеристики
P ном. (мощность номинальная): 0.25 Вт
R ном. (сопротивление номинальное): 18 Ом
Точность: F (±1%)
ТКС (температурный коэффициент сопротивления): 50 ppm/°C
Упаковка
Количество в упаковке: 5000шт
Кратность продажи: 100шт
Описание
0.77 руб./шт
Варианты цен
0.77 руб./шт
В корзину
2.78 руб./шт
Варианты цен
2.78 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMO20N15T2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO20N15T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,088 Ом; Qg: 7,8 нКл; Id: 12,6 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO20N15T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,088 Ом; Qg: 7,8 нКл; Id: 12,6 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
23.16 руб./шт
Варианты цен
23.16 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMK040N08HGS, производителя WayOn
Ключевые параметры WMK040N08HGS: серия SGT N Channel, Power MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 80 В; Rds(on): 0,0048 Ом; Qg: 78,5 нКл; Id: 114 А; Корпус: TO-220
Ключевые параметры WMK040N08HGS: серия SGT N Channel, Power MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 80 В; Rds(on): 0,0048 Ом; Qg: 78,5 нКл; Id: 114 А; Корпус: TO-220
Описание
74.30 руб./шт
Варианты цен
74.30 руб./шт
В корзину
