Диодный мост KBPC5010FP, Single phase, KBPC, 1000V, 50A, 1500ns
Описание
331.71 руб./шт
Варианты цен
331.71 руб./шт
В корзину
Резистор металлопленочный 0.25Вт, 13.7 Ом, ±0,1% ,±15ppm
Описание
9.88 руб./шт
Варианты цен
9.88 руб./шт
В корзину
741.05 руб./шт
Варианты цен
741.05 руб./шт
В корзину
IGBT транзистор DHG60N65D, Vce 650 В, Vce(on) 1.85 В, Ic 60А, ТО-247
Описание
165.70 руб./шт
Варианты цен
165.70 руб./шт
В корзину
Под заказ
Запросить условия поставки
ВЧ и СВЧ компонент MOSFET, 527ГГц, 1Вт, Широкополосный транзистор, 7.2В, 15 дБ
Описание
78.26 руб./шт
Варианты цен
78.26 руб./шт
В корзину
Nichicon UBX1H101MPL, конденсатор алюминиевый электролитический серии UBX, 50 В, 100 мкФ, M (±20%), размер 10x12.5 мм
Описание
69.92 руб./шт
Варианты цен
69.92 руб./шт
В корзину
Диодный мост KBPC3508WP, Single phase, KBPC, 800V, 35A, 1500ns
Описание
193.13 руб./шт
Варианты цен
193.13 руб./шт
В корзину
LPC55S69JBD100K NXP, Микроконтроллер, Серия: LPC55S6x; Тип ядра: ARM® Cortex®-M33; Корпус: 100-LQFP E x posed Pad
Описание
360.60 руб./шт
Варианты цен
360.60 руб./шт
В корзину
5.32 руб./шт
Варианты цен
5.32 руб./шт
В корзину
Преобразователь постоянного тока, Buck-boost DC-DC converter,
U вход 2.0 до 5.5 В, U выход 1.2 до 5.5 В, 1А, 1.5 MHz, КПД 94%, корпус DFN-10 ( 3 х 3 мм )
Упаковка: катушка 3000 шт
U вход 2.0 до 5.5 В, U выход 1.2 до 5.5 В, 1А, 1.5 MHz, КПД 94%, корпус DFN-10 ( 3 х 3 мм )
Упаковка: катушка 3000 шт
Описание
102.68 руб./шт
Варианты цен
102.68 руб./шт
В корзину
10.05 руб./шт
Варианты цен
10.05 руб./шт
В корзину
Конденсатор электролитический EXR222M63B Hitano, серии EXR типоразмер: 18x41 мм, U раб.: 63 В, C ном.: 2200 мкФ, допуск: M (±20%)
Описание
98.80 руб./шт
Варианты цен
98.80 руб./шт
В корзину
SiC-диод RSS40120K Reasunos, TO-247-3, 1200 В, 68 А, 1.7 В, 196 nC
Описание
397.90 руб./шт
Варианты цен
397.90 руб./шт
В корзину
PV36W203C01B00, Потенциометр 0.5Вт, 25, ±10%, ±100 ppm/°C, Выводной
Описание
190.14 руб./шт
Варианты цен
190.14 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ53N65C4, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.06 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 50 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.06 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 50 А; Корпус: TO-247
Описание
271.51 руб./шт
Варианты цен
271.51 руб./шт
В корзину
Kendeil K01400332SHM0H105, конденсатор электролитический серии K01, 400в, 3300 мкФ, M (±20%), типоразмер 63x105
Описание
2 988.01 руб./шт
Варианты цен
2 988.01 руб./шт
В корзину
Диодный мост KBPC3510WP, Single phase, KBPC, 1000V, 35A, 1500ns
Описание
176.91 руб./шт
Варианты цен
176.91 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WML13N50C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WML13N50C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 500 В; Rds(on): 0,48 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 6 А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML13N50C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 500 В; Rds(on): 0,48 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 6 А; Корпус: TO-220F
Описание
33.35 руб./шт
Варианты цен
33.35 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMO10N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO10N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,6 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 4,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO10N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,6 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 4,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
27.77 руб./шт
Варианты цен
27.77 руб./шт
В корзину
