MOSFET транзистор DI110N04PQ, производителя Diotec
Полярность: N-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 1.9 мОм; Id: 110 А; P: 45 W; Корпус: QFN5x6
Полярность: N-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 1.9 мОм; Id: 110 А; P: 45 W; Корпус: QFN5x6
Описание
32.40 руб./шт
Варианты цен
32.40 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WML099N10HGS, производителя WayOn
Ключевые параметры WML099N10HGS: SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 9,9 мОм; Qg: 59,5 нКл; Id: 37А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML099N10HGS: SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 9,9 мОм; Qg: 59,5 нКл; Id: 37А; Корпус: TO-220F
Описание
30.40 руб./шт
Варианты цен
30.40 руб./шт
В корзину
159.62 руб./шт
Варианты цен
159.62 руб./шт
В корзину
Kendeil K01400332SHM0H105, конденсатор электролитический серии K01, 400в, 3300 мкФ, M (±20%), типоразмер 63x105
Описание
2 916.18 руб./шт
Варианты цен
2 916.18 руб./шт
В корзину
Kendeil K01450222SHM0H105, конденсатор электролитический серии K01, 450в, 2200 мкФ, типоразмер 63x105
Описание
3 359.78 руб./шт
Варианты цен
3 359.78 руб./шт
В корзину
Kendeil K014502220HM0H105, конденсатор электролитический серии K01, 450в, 2200 мкФ, типоразмер 63x105
Описание
3 259.24 руб./шт
Варианты цен
3 259.24 руб./шт
В корзину
600.55 руб./шт
Варианты цен
600.55 руб./шт
В корзину
Чип индуктивность SMD, 2.9 мкГн, 33 А ,1 мОм, 7%, 25.3х23.5 мм
Описание
445.15 руб./шт
Варианты цен
445.15 руб./шт
В корзину
Под заказ
Запросить условия поставки
Kendeil K014503320HM0J105, конденсатор электролитический серии K01, 450в, 3300 мкФ, типоразмер 76x105
Описание
4 708.76 руб./шт
Варианты цен
4 708.76 руб./шт
В корзину
1 077.83 руб./шт
Варианты цен
1 077.83 руб./шт
В корзину
Конденсатор электролитический EHL, 22х30 мм, 25В, 4700мкФ, M (±20%)
Описание
76.90 руб./шт
Варианты цен
76.90 руб./шт
В корзину
422.27 руб./шт
Варианты цен
422.27 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ12N120D1, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия VDMOS D1, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 1.25 Ом; Qg: 94 нКл; Id: 12 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия VDMOS D1, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 1.25 Ом; Qg: 94 нКл; Id: 12 А; Корпус: TO-247
Описание
179.07 руб./шт
Варианты цен
179.07 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ80N65F2, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.044 Ом; Qg: 103 нКл; Id: 80 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.044 Ом; Qg: 103 нКл; Id: 80 А; Корпус: TO-247
Описание
361.41 руб./шт
Варианты цен
361.41 руб./шт
В корзину
312.32 руб./шт
Варианты цен
312.32 руб./шт
В корзину
127.39 руб./шт
Варианты цен
127.39 руб./шт
В корзину
Семейство микроконтроллеров N32G031/032 оснащено ядром ARM Cortex®-M0. Максимальная рабочая частота составляет 48 МГц, содержит до 64 КБ внутренней флэш-памяти и до 16 КБ встроенной SRAM. Поддерживается до 40 переназначаемых вводов/выводов (I/O), а также предоставляется широкий набор аналоговых интерфейсов высокой производительности, включая 12-битный АЦП с максимальной скоростью преобразования 1 Мsps, до 12 внешних входных каналов, 1 независимый операционный усилитель и 1 высокоскоростной компаратор. В то же время предусмотрено несколько цифровых интерфейсов связи, включая 3x U(S)ART, 2x I2C, 2x SPI, 1x интерфейс I2S, 1x CAN.
Микроконтроллеры серии N32G031/032 работают в диапазоне температур от –40 до +105°C при напряжении питания от 1,8 до 5,5 В, обеспечивают различные режимы энергопотребления для выбора пользователем и соответствуют требованиям устройств с низким энергопотреблением. Эта серия выпускается в корпусах с 20/32/48 выводами.
Микроконтроллеры N32G031/032 подходят для применения в мобильных устройствах, бытовых приборах, системах управления двигателем, системах управления энергопотреблением и др.
Микроконтроллеры серии N32G031/032 работают в диапазоне температур от –40 до +105°C при напряжении питания от 1,8 до 5,5 В, обеспечивают различные режимы энергопотребления для выбора пользователем и соответствуют требованиям устройств с низким энергопотреблением. Эта серия выпускается в корпусах с 20/32/48 выводами.
Микроконтроллеры N32G031/032 подходят для применения в мобильных устройствах, бытовых приборах, системах управления двигателем, системах управления энергопотреблением и др.
Описание
98.11 руб./шт
Варианты цен
98.11 руб./шт
В корзину
205.45 руб./шт
Варианты цен
205.45 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор P-Channel, -100В, 60 мОм, 150 нКл, -38А, TO-220AB
Описание
122.34 руб./шт
Варианты цен
122.34 руб./шт
В корзину
