Kendeil K01400332SHM0H105, конденсатор электролитический серии K01, 400в, 3300 мкФ, M (±20%), типоразмер 63x105
Описание
3 315.48 руб./шт
Варианты цен
3 315.48 руб./шт
В корзину
IGBT транзистор DHG60N65D, Vce 650 В, Vce(on) 1.85 В, Ic 60А, ТО-247
Описание
187.27 руб./шт
Варианты цен
187.27 руб./шт
В корзину
Kendeil K01450222SHM0H105, конденсатор электролитический серии K01, 450в, 2200 мкФ, типоразмер 63x105
Описание
3 819.83 руб./шт
Варианты цен
3 819.83 руб./шт
В корзину
Kendeil K014502220HM0H105, конденсатор электролитический серии K01, 450в, 2200 мкФ, типоразмер 63x105
Описание
3 705.53 руб./шт
Варианты цен
3 705.53 руб./шт
В корзину
671.29 руб./шт
Варианты цен
671.29 руб./шт
В корзину
Чип индуктивность SMD, 2.9 мкГн, 33 А ,1 мОм, 7%, 25.3х23.5 мм
Описание
506.12 руб./шт
Варианты цен
506.12 руб./шт
В корзину
Под заказ
Запросить условия поставки
1 204.81 руб./шт
Варианты цен
1 204.81 руб./шт
В корзину
Конденсатор электролитический EHL, 22х30 мм, 25В, 4700мкФ, M (±20%)
Описание
85.95 руб./шт
Варианты цен
85.95 руб./шт
В корзину
472.02 руб./шт
Варианты цен
472.02 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ12N120D1, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия VDMOS D1, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 1.25 Ом; Qg: 94 нКл; Id: 12 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия VDMOS D1, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 1.25 Ом; Qg: 94 нКл; Id: 12 А; Корпус: TO-247
Описание
200.18 руб./шт
Варианты цен
200.18 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ80N65F2, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.044 Ом; Qg: 103 нКл; Id: 80 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.044 Ом; Qg: 103 нКл; Id: 80 А; Корпус: TO-247
Описание
403.99 руб./шт
Варианты цен
403.99 руб./шт
В корзину
349.12 руб./шт
Варианты цен
349.12 руб./шт
В корзину
144.84 руб./шт
Варианты цен
144.84 руб./шт
В корзину
Семейство микроконтроллеров N32G031/032 оснащено ядром ARM Cortex®-M0. Максимальная рабочая частота составляет 48 МГц, содержит до 64 КБ внутренней флэш-памяти и до 16 КБ встроенной SRAM. Поддерживается до 40 переназначаемых вводов/выводов (I/O), а также предоставляется широкий набор аналоговых интерфейсов высокой производительности, включая 12-битный АЦП с максимальной скоростью преобразования 1 Мsps, до 12 внешних входных каналов, 1 независимый операционный усилитель и 1 высокоскоростной компаратор. В то же время предусмотрено несколько цифровых интерфейсов связи, включая 3x U(S)ART, 2x I2C, 2x SPI, 1x интерфейс I2S, 1x CAN.
Микроконтроллеры серии N32G031/032 работают в диапазоне температур от –40 до +105°C при напряжении питания от 1,8 до 5,5 В, обеспечивают различные режимы энергопотребления для выбора пользователем и соответствуют требованиям устройств с низким энергопотреблением. Эта серия выпускается в корпусах с 20/32/48 выводами.
Микроконтроллеры N32G031/032 подходят для применения в мобильных устройствах, бытовых приборах, системах управления двигателем, системах управления энергопотреблением и др.
Микроконтроллеры серии N32G031/032 работают в диапазоне температур от –40 до +105°C при напряжении питания от 1,8 до 5,5 В, обеспечивают различные режимы энергопотребления для выбора пользователем и соответствуют требованиям устройств с низким энергопотреблением. Эта серия выпускается в корпусах с 20/32/48 выводами.
Микроконтроллеры N32G031/032 подходят для применения в мобильных устройствах, бытовых приборах, системах управления двигателем, системах управления энергопотреблением и др.
Описание
109.68 руб./шт
Варианты цен
109.68 руб./шт
В корзину
229.64 руб./шт
Варианты цен
229.64 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор P-Channel, -100В, 60 мОм, 150 нКл, -38А, TO-220AB
Описание
139.09 руб./шт
Варианты цен
139.09 руб./шт
В корзину
361.56 руб./шт
Варианты цен
361.56 руб./шт
В корзину
482.21 руб./шт
Варианты цен
482.21 руб./шт
В корзину
Микросхема мониторинга, защиты и измерения заряда аккумуляторов (Fuel Gauge) 1-Wire, 16 EEPROM, FuelPack, 2.5В, 5.5В
Описание
Под заказ
Запросить условия поставки
