PVU414SPBF, Твердотельное реле однополярное, MOSFET, нормально разомкнутое 0-400В, 140мА АC/DC, SMT6
Описание
586.31 руб./шт
Варианты цен
586.31 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
PVT312LSPBF, Твердотельное реле однополярное, MOSFET, нормально разомкнутое 0-250В, AC/DC 170мА, SMT6
Описание
432.16 руб./шт
Варианты цен
432.16 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
IGBT транзистор DHG60N65D, Vce 650 В, Vce(on) 1.85 В, Ic 60А, ТО-247
Описание
182.85 руб./шт
Варианты цен
182.85 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
647.19 руб./шт
Варианты цен
647.19 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
IRLML2803TRPBF, MOSFET транзистор, N-Channel, 30 В, 250 мОм, 5 нКл, 1.2 А, 0.54 Вт, SOT-23
Описание
11.59 руб./шт
Варианты цен
11.59 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMJ90N65SR, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS SR, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.033 Ом; Qg: 183 нКл; Id: 99 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS SR, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.033 Ом; Qg: 183 нКл; Id: 99 А; Корпус: TO-247
Описание
437.91 руб./шт
Варианты цен
437.91 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMJ90N65F2, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.033 Ом; Qg: 142 нКл; Id: 90 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.033 Ом; Qg: 142 нКл; Id: 90 А; Корпус: TO-247
Описание
798.12 руб./шт
Варианты цен
798.12 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMJ53N60F2, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0.062 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 50 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0.062 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 50 А; Корпус: TO-247
Описание
340.73 руб./шт
Варианты цен
340.73 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор NCE65NF036T, производителя NCEPOWER
Ключевые параметры компонента NCE65NF036T: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 30 мОм; Id: 70 А; Корпус: TO-247AC; Qg: 125 нКл.
Ключевые параметры компонента NCE65NF036T: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 30 мОм; Id: 70 А; Корпус: TO-247AC; Qg: 125 нКл.
Описание
732.66 руб./шт
Варианты цен
732.66 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
400.57 руб./шт
Варианты цен
400.57 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
SiC-диод RSS20065K Reasunos, TO-247-3, 650 В, 30 А, 1.6 В, 60 nC
Описание
238.62 руб./шт
Варианты цен
238.62 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
SiC-диод RSS40120K Reasunos, TO-247-3, 1200 В, 68 А, 1.7 В, 196 nC
Описание
439.08 руб./шт
Варианты цен
439.08 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
Конденсатор силовой B25620B1107K100, 100мкФ, 1100В, 10% MKP PEC, серия B2562
Описание
4 680.91 руб./шт
Варианты цен
4 680.91 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
NFC/RFID-метки и транспондер IC от 310000 кГц до 447000 кГц/от 868000 кГц до 915000 кГц 32-контактный HVQFN EP
Описание
344.82 руб./шт
Варианты цен
344.82 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
Kendeil K010252240HM0J105, конденсатор электролитический серии K01, 25 В, 220000 мкФ, типоразмер 76x105
Описание
4 133.21 руб./шт
Варианты цен
4 133.21 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
