RSM170045W, N-канал SiC Power MOSFET, VDS =1700В,ID =72A
Описание
2 937.80 руб./шт
Варианты цен
2 937.80 руб./шт
В корзину
Конденсатор электролитический B41550E, 35.7х80.7 мм, 100В, 2200мкФ, Q (-10...+30%)
Описание
1 196.95 руб./шт
Варианты цен
1 196.95 руб./шт
В корзину
783.45 руб./шт
Варианты цен
783.45 руб./шт
В корзину
47.03 руб./шт
Варианты цен
47.03 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WML26N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WML26N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,19 Ом; Qg: 22,1 нКл; Id: 10,5 А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML26N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,19 Ом; Qg: 22,1 нКл; Id: 10,5 А; Корпус: TO-220F
Описание
81.48 руб./шт
Варианты цен
81.48 руб./шт
В корзину
Maxim Integrated MAX13085EEPA+ Transceiver RS422, RS485, 4.5V-5.5V supply, 1 Driver, DIP-8
Описание
156.70 руб./шт
Варианты цен
156.70 руб./шт
В корзину
Под заказ
Запросить условия поставки
Под заказ
Запросить условия поставки
SiC-диод YJD112005DG1 SuncoYJ, TO-252, 1200 В, 7 А, 1.6 В, 27 nC
Описание
47.15 руб./шт
Варианты цен
47.15 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
Конденсатор электролитический EHP101M2GBA Hitano, серии EHR типоразмер: 22x35 мм, U раб.: 400 В, C ном.: 100 мкФ, допуск: M (±20%)
Описание
98.71 руб./шт
Варианты цен
98.71 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
88.54 руб./шт
Варианты цен
88.54 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
PVT312PBF, Твердотельное реле однополярное, MOSFET, нормально разомкнутое 0-250В, AC/DC 190мА, DIP6
Описание
483.29 руб./шт
Варианты цен
483.29 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
PVU414SPBF, Твердотельное реле однополярное, MOSFET, нормально разомкнутое 0-400В, 140мА АC/DC, SMT6
Описание
554.62 руб./шт
Варианты цен
554.62 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
PVT312LSPBF, Твердотельное реле однополярное, MOSFET, нормально разомкнутое 0-250В, AC/DC 170мА, SMT6
Описание
408.80 руб./шт
Варианты цен
408.80 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
604.17 руб./шт
Варианты цен
604.17 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
IRLML2803TRPBF, MOSFET транзистор, N-Channel, 30 В, 250 мОм, 5 нКл, 1.2 А, 0.54 Вт, SOT-23
Описание
10.96 руб./шт
Варианты цен
10.96 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMJ90N65SR, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS SR, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.033 Ом; Qg: 183 нКл; Id: 99 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS SR, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.033 Ом; Qg: 183 нКл; Id: 99 А; Корпус: TO-247
Описание
408.80 руб./шт
Варианты цен
408.80 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMJ90N65F2, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.033 Ом; Qg: 142 нКл; Id: 90 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.033 Ом; Qg: 142 нКл; Id: 90 А; Корпус: TO-247
Описание
745.07 руб./шт
Варианты цен
745.07 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMJ53N60F2, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0.062 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 50 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0.062 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 50 А; Корпус: TO-247
Описание
318.08 руб./шт
Варианты цен
318.08 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
