MOSFET транзистор WMJ90N65F2, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.033 Ом; Qg: 142 нКл; Id: 90 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.033 Ом; Qg: 142 нКл; Id: 90 А; Корпус: TO-247
Описание
730.23 руб./шт
Варианты цен
730.23 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMJ53N60F2, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0.062 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 50 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0.062 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 50 А; Корпус: TO-247
Описание
311.75 руб./шт
Варианты цен
311.75 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
SiC-диод RSS20065K Reasunos, TO-247-3, 650 В, 30 А, 1.6 В, 60 nC
Описание
218.32 руб./шт
Варианты цен
218.32 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
Конденсатор силовой B25620B1107K100, 100мкФ, 1100В, 10% MKP PEC, серия B2562
Описание
4 472.48 руб./шт
Варианты цен
4 472.48 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
NFC/RFID-метки и транспондер IC от 310000 кГц до 447000 кГц/от 868000 кГц до 915000 кГц 32-контактный HVQFN EP
Описание
329.47 руб./шт
Варианты цен
329.47 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
Kendeil K010252240HM0J105, конденсатор электролитический серии K01, 25 В, 220000 мкФ, типоразмер 76x105
Описание
3 949.18 руб./шт
Варианты цен
3 949.18 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
Чип индуктивность 10 мкГн, 1.1 А, 120 мОм
Кратность продажи: 50 шт
Кратность продажи: 50 шт
Описание
30.71 руб./шт
Варианты цен
30.71 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
Модуль SLIMDIP-S#555 Mitsubishi Electric, 450В, 5А, 6-PACK, SLIM, IGBT
Описание
520.57 руб./шт
Варианты цен
520.57 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
Kendeil K052504710PM0C040, конденсатор электролитический серии K05, 250 В, 470 мкФ, типоразмер 25x40
Описание
179.51 руб./шт
Варианты цен
179.51 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
GLI 900-150A, конденсатор плёночный 150мкФ 900В, 87х74мм
Описание
3 608.96 руб./шт
Варианты цен
3 608.96 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
Электромагнитный контроллер, открытая панель 64-LQFP, -40°C ~ 125°C, поверхностный монтаж
Описание
534.20 руб./шт
Варианты цен
534.20 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
200.41 руб./шт
Варианты цен
200.41 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WML12N80M3, производителя WayOn
Ключевые параметры WML12N80M3: серия SJ-MOS M3, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,62 Ом; Qg: 19 нКл; Id: 7,2 А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML12N80M3: серия SJ-MOS M3, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,62 Ом; Qg: 19 нКл; Id: 7,2 А; Корпус: TO-220F
Описание
71.87 руб./шт
Варианты цен
71.87 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMO07N65С4, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO07N65С4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0,96 Ом; Qg: 5,2 нКл; Id: 2,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO07N65С4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0,96 Ом; Qg: 5,2 нКл; Id: 2,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WML071N15HG2, производителя WayOn
Ключевые параметры WML071N15HG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0.0071 Ом; Qg: 69 нКл; Id: 90 А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML071N15HG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0.0071 Ом; Qg: 69 нКл; Id: 90 А; Корпус: TO-220F
Описание
138.35 руб./шт
Варианты цен
138.35 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMO20N15T2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO20N15T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,088 Ом; Qg: 7,8 нКл; Id: 12,6 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO20N15T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,088 Ом; Qg: 7,8 нКл; Id: 12,6 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
24.80 руб./шт
Варианты цен
24.80 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMO28N15T2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO28N15T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,048 Ом; Qg: 12 нКл; Id: 19,5 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO28N15T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,048 Ом; Qg: 12 нКл; Id: 19,5 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
31.33 руб./шт
Варианты цен
31.33 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMB018N04LG2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMB018N04LG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 0,0018 Ом; Qg: 46 нКл; Id: 82 А; Корпус: PDFN5*6-8L
Ключевые параметры WMB018N04LG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 0,0018 Ом; Qg: 46 нКл; Id: 82 А; Корпус: PDFN5*6-8L
Описание
35.04 руб./шт
Варианты цен
35.04 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
