NFC/RFID-метки и транспондер IC от 310000 кГц до 447000 кГц/от 868000 кГц до 915000 кГц 32-контактный HVQFN EP
Описание
366.99 руб./шт
Варианты цен
366.99 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
Kendeil K010252240HM0J105, конденсатор электролитический серии K01, 25 В, 220000 мкФ, типоразмер 76x105
Описание
4 398.87 руб./шт
Варианты цен
4 398.87 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
Чип конденсатор электролитический 6.3x5.7 мм, 25В, 47мкФ, M (±20%)
Описание
6.12 руб./шт
Варианты цен
6.12 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
C0402C102J1GACTU, Конденсатор: керамический; MLCC; 1000 пФ; 100 В; C0G; ±5%; SMD; 0402, Kemet
Продажа кратно 100шт !
Продажа кратно 100шт !
Описание
11.24 руб./шт
Варианты цен
11.24 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
Kendeil K014503320HM0J105, конденсатор электролитический серии K01, 450в, 3300 мкФ, типоразмер 76x105
Описание
5 398.60 руб./шт
Варианты цен
5 398.60 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
Чип индуктивность 10 мкГн, 1.1 А, 120 мОм
Кратность продажи: 50 шт
Кратность продажи: 50 шт
Описание
34.57 руб./шт
Варианты цен
34.57 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
Модуль SLIMDIP-S#555 Mitsubishi Electric, 450В, 5А, 6-PACK, SLIM, IGBT
Описание
579.84 руб./шт
Варианты цен
579.84 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
Kendeil K052504710PM0C040, конденсатор электролитический серии K05, 250 В, 470 мкФ, типоразмер 25x40
Описание
199.96 руб./шт
Варианты цен
199.96 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
GLI 900-150A, конденсатор плёночный 150мкФ 900В, 87х74мм
Описание
4 062.23 руб./шт
Варианты цен
4 062.23 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
Kendeil K010632230HM0G079, конденсатор электролитический серии K01, 63 В, 22000 мкФ, типоразмер 51x79
Описание
2 389.54 руб./шт
Варианты цен
2 389.54 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
Электромагнитный контроллер, открытая панель 64-LQFP, -40°C ~ 125°C, поверхностный монтаж
Описание
595.03 руб./шт
Варианты цен
595.03 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
225.58 руб./шт
Варианты цен
225.58 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WML12N80M3, производителя WayOn
Ключевые параметры WML12N80M3: серия SJ-MOS M3, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,62 Ом; Qg: 19 нКл; Id: 7,2 А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML12N80M3: серия SJ-MOS M3, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,62 Ом; Qg: 19 нКл; Id: 7,2 А; Корпус: TO-220F
Описание
80.90 руб./шт
Варианты цен
80.90 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMO07N65С4, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO07N65С4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0,96 Ом; Qg: 5,2 нКл; Id: 2,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO07N65С4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0,96 Ом; Qg: 5,2 нКл; Id: 2,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WML26N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WML26N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,19 Ом; Qg: 22,1 нКл; Id: 10,5 А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML26N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,19 Ом; Qg: 22,1 нКл; Id: 10,5 А; Корпус: TO-220F
Описание
89.89 руб./шт
Варианты цен
89.89 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMO18N20T2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO18N20T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 0,13 Ом; Qg: 11 нКл; Id: 11,7 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO18N20T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 0,13 Ом; Qg: 11 нКл; Id: 11,7 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
47.02 руб./шт
Варианты цен
47.02 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WML071N15HG2, производителя WayOn
Ключевые параметры WML071N15HG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0.0071 Ом; Qg: 69 нКл; Id: 90 А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML071N15HG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0.0071 Ом; Qg: 69 нКл; Id: 90 А; Корпус: TO-220F
Описание
155.73 руб./шт
Варианты цен
155.73 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMO20N15T2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO20N15T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,088 Ом; Qg: 7,8 нКл; Id: 12,6 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO20N15T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,088 Ом; Qg: 7,8 нКл; Id: 12,6 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
27.93 руб./шт
Варианты цен
27.93 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMO28N15T2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO28N15T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,048 Ом; Qg: 12 нКл; Id: 19,5 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO28N15T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,048 Ом; Qg: 12 нКл; Id: 19,5 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
35.26 руб./шт
Варианты цен
35.26 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMB018N04LG2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMB018N04LG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 0,0018 Ом; Qg: 46 нКл; Id: 82 А; Корпус: PDFN5*6-8L
Ключевые параметры WMB018N04LG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 0,0018 Ом; Qg: 46 нКл; Id: 82 А; Корпус: PDFN5*6-8L
Описание
39.44 руб./шт
Варианты цен
39.44 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
