Минимальное количество к продаже 100шт!
Основные характеристики
P ном. (мощность номинальная): 0.25 Вт
R ном. (сопротивление номинальное): 10 Ом
Точность: F (±1%)
ТКС (температурный коэффициент сопротивления): 50 ppm/°C
Упаковка
Количество в упаковке: 5000шт
Кратность продажи: 100шт
Основные характеристики
P ном. (мощность номинальная): 0.25 Вт
R ном. (сопротивление номинальное): 10 Ом
Точность: F (±1%)
ТКС (температурный коэффициент сопротивления): 50 ppm/°C
Упаковка
Количество в упаковке: 5000шт
Кратность продажи: 100шт
Описание
1.12 руб./шт
Варианты цен
1.12 руб./шт
В корзину
SiC-диоды Шоттки производства известной китайской компании WayOn.
PDFN5*6, 650 В, 8 А, 1.43 В, 16 нКл
Описание
157.54 руб./шт
Варианты цен
157.54 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WML26N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WML26N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,19 Ом; Qg: 22,1 нКл; Id: 10,5 А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML26N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,19 Ом; Qg: 22,1 нКл; Id: 10,5 А; Корпус: TO-220F
Описание
81.67 руб./шт
Варианты цен
81.67 руб./шт
В корзину
Регулятор обратного хода с первичным управлением CV/CC для адаптеров и зарядных устройств
Описание
30.59 руб./шт
Варианты цен
30.59 руб./шт
В корзину
Диод Шоттки, 30В, 4А, DO-214AB(SMC), Uf max: 0.5В, 150 °C
Описание
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMJ53N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WMJ53N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0.07 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 26 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры WMJ53N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0.07 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 26 А; Корпус: TO-247
Описание
287.02 руб./шт
Варианты цен
287.02 руб./шт
В корзину
DIT195N08, MOSFET транзистор, полярность: N-Channel; V(br)dss: 85 В; Rds(on): 3.5 мОм; Qg: 296 нКл; Id: 215 А; Корпус: ТО-220
Описание
198.07 руб./шт
Варианты цен
198.07 руб./шт
В корзину
73.08 руб./шт
Варианты цен
73.08 руб./шт
В корзину
Диод выпрямительный Шоттки, THT, 100В, 10А, TO220AC, Uf max: 0.79В, 150 °C
Описание
57.85 руб./шт
Варианты цен
57.85 руб./шт
В корзину
Диод выпрямительный Шоттки, THT, 200В, 2х10А, TO220AB, Uf max: 0.90В, 175 °C
Описание
63.65 руб./шт
Варианты цен
63.65 руб./шт
В корзину
58.90 руб./шт
Варианты цен
58.90 руб./шт
В корзину
117.07 руб./шт
Варианты цен
117.07 руб./шт
В корзину
54.50 руб./шт
Варианты цен
54.50 руб./шт
В корзину
Чип резистор 0805, 0.020 Ом, (±1%), 0.5 Вт, ±50 ppm/°C
Кратность продажи: 100 шт
Кратность продажи: 100 шт
Описание
23.56 руб./шт
Варианты цен
23.56 руб./шт
В корзину
IXFN110N60P3, MOSFET транзистор, N-Channel, 600 В, 56 мОм, 245 нКл, 90 А, SOT-227B
Описание
3 392.42 руб./шт
Варианты цен
3 392.42 руб./шт
В корзину
34.06 руб./шт
Варианты цен
34.06 руб./шт
В корзину
Hitano R15N470J1HH5-B, конденсатор керамический MCC, 47пФ, 50В, NP0, J (±5%), 5 мм
Описание
3.89 руб./шт
Варианты цен
3.89 руб./шт
В корзину
Hitano R15N102J1HH5-B, конденсатор керамический MCC, 1000пФ, 50В, NP0, J (±5%), 5 мм
Описание
3.84 руб./шт
Варианты цен
3.84 руб./шт
В корзину
IGBT транзистор DHG40N120D, Vce 1200 В, Vce(on) 1.9 В, Ic 40А, ТО-247
Описание
212.81 руб./шт
Варианты цен
212.81 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMO18N20T2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO18N20T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 0,13 Ом; Qg: 11 нКл; Id: 11,7 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO18N20T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 0,13 Ом; Qg: 11 нКл; Id: 11,7 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
42.72 руб./шт
Варианты цен
42.72 руб./шт
В корзину
