MOSFET транзистор WMK161N15T2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMK161N15T2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,006 Ом; Qg: 78 нКл; Id: 115 А; Корпус: TO-220
Ключевые параметры WMK161N15T2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,006 Ом; Qg: 78 нКл; Id: 115 А; Корпус: TO-220
Описание
191.42 руб./шт
Варианты цен
191.42 руб./шт
В корзину
2.62 руб./шт
Варианты цен
2.62 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMK040N08HGS, производителя WayOn
Ключевые параметры WMK040N08HGS: серия SGT N Channel, Power MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 80 В; Rds(on): 0,0048 Ом; Qg: 78,5 нКл; Id: 114 А; Корпус: TO-220
Ключевые параметры WMK040N08HGS: серия SGT N Channel, Power MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 80 В; Rds(on): 0,0048 Ом; Qg: 78,5 нКл; Id: 114 А; Корпус: TO-220
Описание
83.29 руб./шт
Варианты цен
83.29 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ80N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WMJ80N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,039 Ом; Qg: 103 нКл; Id: 45 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры WMJ80N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,039 Ом; Qg: 103 нКл; Id: 45 А; Корпус: TO-247
Описание
517.27 руб./шт
Варианты цен
517.27 руб./шт
В корзину
Транзистор BU921T, производителя STMicroelectronics, NPN, 10 А, 400 В, 105000 mW, TO-220
Описание
166.08 руб./шт
Варианты цен
166.08 руб./шт
В корзину
IGBT транзистор DHG40N120D, Vce 1200 В, Vce(on) 1.9 В, Ic 40А, ТО-247
Описание
232.93 руб./шт
Варианты цен
232.93 руб./шт
В корзину
ВЧ и СВЧ компонент MOSFET, 527ГГц, 1Вт, Широкополосный транзистор, 7.2В, 15 дБ
Описание
86.85 руб./шт
Варианты цен
86.85 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ53N65C4, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.06 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 50 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.06 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 50 А; Корпус: TO-247
Описание
306.85 руб./шт
Варианты цен
306.85 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WML13N50C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WML13N50C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 500 В; Rds(on): 0,48 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 6 А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML13N50C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 500 В; Rds(on): 0,48 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 6 А; Корпус: TO-220F
Описание
37.70 руб./шт
Варианты цен
37.70 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMO10N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO10N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,6 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 4,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO10N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,6 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 4,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
31.38 руб./шт
Варианты цен
31.38 руб./шт
В корзину
107.02 руб./шт
Варианты цен
107.02 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор DI110N04PQ, производителя Diotec
Полярность: N-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 1.9 мОм; Id: 110 А; P: 45 W; Корпус: QFN5x6
Полярность: N-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 1.9 мОм; Id: 110 А; P: 45 W; Корпус: QFN5x6
Описание
36.84 руб./шт
Варианты цен
36.84 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WML099N10HGS, производителя WayOn
Ключевые параметры WML099N10HGS: SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 9,9 мОм; Qg: 59,5 нКл; Id: 37А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML099N10HGS: SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 9,9 мОм; Qg: 59,5 нКл; Id: 37А; Корпус: TO-220F
Описание
33.99 руб./шт
Варианты цен
33.99 руб./шт
В корзину
IGBT транзистор DHG60N65D, Vce 650 В, Vce(on) 1.85 В, Ic 60А, ТО-247
Описание
187.27 руб./шт
Варианты цен
187.27 руб./шт
В корзину
671.29 руб./шт
Варианты цен
671.29 руб./шт
В корзину
1 204.81 руб./шт
Варианты цен
1 204.81 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ12N120D1, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия VDMOS D1, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 1.25 Ом; Qg: 94 нКл; Id: 12 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия VDMOS D1, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 1.25 Ом; Qg: 94 нКл; Id: 12 А; Корпус: TO-247
Описание
200.18 руб./шт
Варианты цен
200.18 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ80N65F2, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.044 Ом; Qg: 103 нКл; Id: 80 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.044 Ом; Qg: 103 нКл; Id: 80 А; Корпус: TO-247
Описание
403.99 руб./шт
Варианты цен
403.99 руб./шт
В корзину
349.12 руб./шт
Варианты цен
349.12 руб./шт
В корзину
