MOSFET транзистор WMJ53N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WMJ53N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0.07 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 26 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры WMJ53N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0.07 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 26 А; Корпус: TO-247
Описание
287.47 руб./шт
Варианты цен
287.47 руб./шт
В корзину
DIT195N08, MOSFET транзистор, полярность: N-Channel; V(br)dss: 85 В; Rds(on): 3.5 мОм; Qg: 296 нКл; Id: 215 А; Корпус: ТО-220
Описание
198.95 руб./шт
Варианты цен
198.95 руб./шт
В корзину
IXFN110N60P3, MOSFET транзистор, N-Channel, 600 В, 56 мОм, 245 нКл, 90 А, SOT-227B
Описание
3 397.85 руб./шт
Варианты цен
3 397.85 руб./шт
В корзину
IGBT транзистор DHG40N120D, Vce 1200 В, Vce(on) 1.9 В, Ic 40А, ТО-247
Описание
213.14 руб./шт
Варианты цен
213.14 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMO18N20T2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO18N20T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 0,13 Ом; Qg: 11 нКл; Id: 11,7 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO18N20T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 0,13 Ом; Qg: 11 нКл; Id: 11,7 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
42.78 руб./шт
Варианты цен
42.78 руб./шт
В корзину
Биполярный высокомощный транзистор MJH6284G, производителя ONSEMI, NPN, 20 А, 100 В, 160 Вт, TO-247
Описание
377.54 руб./шт
Варианты цен
377.54 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMK161N15T2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMK161N15T2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,006 Ом; Qg: 78 нКл; Id: 115 А; Корпус: TO-220
Ключевые параметры WMK161N15T2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,006 Ом; Qg: 78 нКл; Id: 115 А; Корпус: TO-220
Описание
175.16 руб./шт
Варианты цен
175.16 руб./шт
В корзину
IRLML2803TRPBF, MOSFET транзистор, N-Channel, 30 В, 250 мОм, 5 нКл, 1.2 А, 0.54 Вт, SOT-23
Описание
11.44 руб./шт
Варианты цен
11.44 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ80N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WMJ80N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,039 Ом; Qg: 103 нКл; Id: 45 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры WMJ80N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,039 Ом; Qg: 103 нКл; Id: 45 А; Корпус: TO-247
Описание
473.34 руб./шт
Варианты цен
473.34 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMK340N20HG2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMK340N20HG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 0,034 Ом; Qg: 23 нКл; Id: 31,6 А; Корпус: TO-220
Ключевые параметры WMK340N20HG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 0,034 Ом; Qg: 23 нКл; Id: 31,6 А; Корпус: TO-220
Описание
113.26 руб./шт
Варианты цен
113.26 руб./шт
В корзину
Транзистор BU921T, производителя STMicroelectronics, NPN, 10 А, 400 В, 105000 mW, TO-220
Описание
151.98 руб./шт
Варианты цен
151.98 руб./шт
В корзину
IGBT транзистор DHG60N65D, Vce 650 В, Vce(on) 1.85 В, Ic 60А, ТО-247
Описание
171.36 руб./шт
Варианты цен
171.36 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ36N65F2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMJ36N65F2: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0,11 Ом; Qg: 46 нКл; Id: 20 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры WMJ36N65F2: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0,11 Ом; Qg: 46 нКл; Id: 20 А; Корпус: TO-247
Описание
280.80 руб./шт
Варианты цен
280.80 руб./шт
В корзину
ВЧ и СВЧ компонент MOSFET, 527ГГц, 1Вт, Широкополосный транзистор, 7.2В, 15 дБ
Описание
81.18 руб./шт
Варианты цен
81.18 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ53N65C4, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.06 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 50 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.06 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 50 А; Корпус: TO-247
Описание
280.80 руб./шт
Варианты цен
280.80 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ53N60F2, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0.062 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 50 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0.062 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 50 А; Корпус: TO-247
Описание
319.33 руб./шт
Варианты цен
319.33 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMO10N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO10N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,6 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 4,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO10N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,6 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 4,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
28.72 руб./шт
Варианты цен
28.72 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WML13N50C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WML13N50C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 500 В; Rds(on): 0,48 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 6 А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML13N50C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 500 В; Rds(on): 0,48 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 6 А; Корпус: TO-220F
Описание
34.50 руб./шт
Варианты цен
34.50 руб./шт
В корзину
