MOSFET транзистор DI110N04PQ, производителя Diotec
Полярность: N-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 1.9 мОм; Id: 110 А; P: 45 W; Корпус: QFN5x6
Полярность: N-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 1.9 мОм; Id: 110 А; P: 45 W; Корпус: QFN5x6
Описание
34.44 руб./шт
Варианты цен
34.44 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WML099N10HGS, производителя WayOn
Ключевые параметры WML099N10HGS: SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 9,9 мОм; Qg: 59,5 нКл; Id: 37А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML099N10HGS: SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 9,9 мОм; Qg: 59,5 нКл; Id: 37А; Корпус: TO-220F
Описание
31.10 руб./шт
Варианты цен
31.10 руб./шт
В корзину
423.88 руб./шт
Варианты цен
423.88 руб./шт
В корзину
614.28 руб./шт
Варианты цен
614.28 руб./шт
В корзину
1 102.49 руб./шт
Варианты цен
1 102.49 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор P-Channel, -100В, 60 мОм, 150 нКл, -38А, TO-220AB
Описание
130.03 руб./шт
Варианты цен
130.03 руб./шт
В корзину
441.25 руб./шт
Варианты цен
441.25 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ12N120D1, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия VDMOS D1, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 1.25 Ом; Qg: 94 нКл; Id: 12 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия VDMOS D1, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 1.25 Ом; Qg: 94 нКл; Id: 12 А; Корпус: TO-247
Описание
183.17 руб./шт
Варианты цен
183.17 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ80N65F2, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.044 Ом; Qg: 103 нКл; Id: 80 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.044 Ом; Qg: 103 нКл; Id: 80 А; Корпус: TO-247
Описание
369.67 руб./шт
Варианты цен
369.67 руб./шт
В корзину
319.46 руб./шт
Варианты цен
319.46 руб./шт
В корзину
206.70 руб./шт
Варианты цен
206.70 руб./шт
В корзину
325.44 руб./шт
Варианты цен
325.44 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ90R260S, производителя WayOn
Ключевые параметры WMJ90R260S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 900 В; Rds(on): 0.26 Ом; Qg: 39.5 нКл; Id: 18 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры WMJ90R260S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 900 В; Rds(on): 0.26 Ом; Qg: 39.5 нКл; Id: 18 А; Корпус: TO-247
Описание
207.26 руб./шт
Варианты цен
207.26 руб./шт
В корзину
596.60 руб./шт
Варианты цен
596.60 руб./шт
В корзину
152.59 руб./шт
Варианты цен
152.59 руб./шт
В корзину
686.65 руб./шт
Варианты цен
686.65 руб./шт
В корзину
375.42 руб./шт
Варианты цен
375.42 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ90N65SR, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS SR, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.033 Ом; Qg: 183 нКл; Id: 99 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS SR, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.033 Ом; Qg: 183 нКл; Id: 99 А; Корпус: TO-247
Описание
410.40 руб./шт
Варианты цен
410.40 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMJ90N65F2, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.033 Ом; Qg: 142 нКл; Id: 90 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.033 Ом; Qg: 142 нКл; Id: 90 А; Корпус: TO-247
Описание
748 руб./шт
Варианты цен
748 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
