MOSFET транзистор DI110N04PQ, производителя Diotec
Полярность: N-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 1.9 мОм; Id: 110 А; P: 45 W; Корпус: QFN5x6
Полярность: N-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 1.9 мОм; Id: 110 А; P: 45 W; Корпус: QFN5x6
Описание
34.96 руб./шт
Варианты цен
34.96 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WML099N10HGS, производителя WayOn
Ключевые параметры WML099N10HGS: SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 9,9 мОм; Qg: 59,5 нКл; Id: 37А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML099N10HGS: SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 9,9 мОм; Qg: 59,5 нКл; Id: 37А; Корпус: TO-220F
Описание
31.76 руб./шт
Варианты цен
31.76 руб./шт
В корзину
627.38 руб./шт
Варианты цен
627.38 руб./шт
В корзину
432.92 руб./шт
Варианты цен
432.92 руб./шт
В корзину
1 126.01 руб./шт
Варианты цен
1 126.01 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор P-Channel, -100В, 60 мОм, 150 нКл, -38А, TO-220AB
Описание
131.95 руб./шт
Варианты цен
131.95 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ12N120D1, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия VDMOS D1, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 1.25 Ом; Qg: 94 нКл; Id: 12 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия VDMOS D1, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 1.25 Ом; Qg: 94 нКл; Id: 12 А; Корпус: TO-247
Описание
187.08 руб./шт
Варианты цен
187.08 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ80N65F2, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.044 Ом; Qg: 103 нКл; Id: 80 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.044 Ом; Qg: 103 нКл; Id: 80 А; Корпус: TO-247
Описание
377.56 руб./шт
Варианты цен
377.56 руб./шт
В корзину
326.28 руб./шт
Варианты цен
326.28 руб./шт
В корзину
450.66 руб./шт
Варианты цен
450.66 руб./шт
В корзину
211.12 руб./шт
Варианты цен
211.12 руб./шт
В корзину
332.38 руб./шт
Варианты цен
332.38 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ90R260S, производителя WayOn
Ключевые параметры WMJ90R260S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 900 В; Rds(on): 0.26 Ом; Qg: 39.5 нКл; Id: 18 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры WMJ90R260S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 900 В; Rds(on): 0.26 Ом; Qg: 39.5 нКл; Id: 18 А; Корпус: TO-247
Описание
211.68 руб./шт
Варианты цен
211.68 руб./шт
В корзину
155.84 руб./шт
Варианты цен
155.84 руб./шт
В корзину
701.29 руб./шт
Варианты цен
701.29 руб./шт
В корзину
609.34 руб./шт
Варианты цен
609.34 руб./шт
В корзину
383.42 руб./шт
Варианты цен
383.42 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ90N65SR, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS SR, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.033 Ом; Qg: 183 нКл; Id: 99 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS SR, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.033 Ом; Qg: 183 нКл; Id: 99 А; Корпус: TO-247
Описание
419.16 руб./шт
Варианты цен
419.16 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMJ90N65F2, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.033 Ом; Qg: 142 нКл; Id: 90 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.033 Ом; Qg: 142 нКл; Id: 90 А; Корпус: TO-247
Описание
763.96 руб./шт
Варианты цен
763.96 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
