MOSFET транзистор P-Channel, -100В, 60 мОм, 150 нКл, -38А, TO-220AB
Описание
132.88 руб./шт
Варианты цен
132.88 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ12N120D1, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия VDMOS D1, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 1.25 Ом; Qg: 94 нКл; Id: 12 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия VDMOS D1, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 1.25 Ом; Qg: 94 нКл; Id: 12 А; Корпус: TO-247
Описание
193.93 руб./шт
Варианты цен
193.93 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ80N65F2, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.044 Ом; Qg: 103 нКл; Id: 80 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.044 Ом; Qg: 103 нКл; Id: 80 А; Корпус: TO-247
Описание
391.40 руб./шт
Варианты цен
391.40 руб./шт
В корзину
338.23 руб./шт
Варианты цен
338.23 руб./шт
В корзину
467.17 руб./шт
Варианты цен
467.17 руб./шт
В корзину
222.50 руб./шт
Варианты цен
222.50 руб./шт
В корзину
456.27 руб./шт
Варианты цен
456.27 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMK340N20HG2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMK340N20HG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 0,034 Ом; Qg: 23 нКл; Id: 31,6 А; Корпус: TO-220
Ключевые параметры WMK340N20HG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 0,034 Ом; Qg: 23 нКл; Id: 31,6 А; Корпус: TO-220
Описание
119.91 руб./шт
Варианты цен
119.91 руб./шт
В корзину
350.30 руб./шт
Варианты цен
350.30 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ90R260S, производителя WayOn
Ключевые параметры WMJ90R260S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 900 В; Rds(on): 0.26 Ом; Qg: 39.5 нКл; Id: 18 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры WMJ90R260S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 900 В; Rds(on): 0.26 Ом; Qg: 39.5 нКл; Id: 18 А; Корпус: TO-247
Описание
219.44 руб./шт
Варианты цен
219.44 руб./шт
В корзину
161.55 руб./шт
Варианты цен
161.55 руб./шт
В корзину
397.48 руб./шт
Варианты цен
397.48 руб./шт
В корзину
5 675.84 руб./шт
Варианты цен
5 675.84 руб./шт
В корзину
642.18 руб./шт
Варианты цен
642.18 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
IRLML2803TRPBF, MOSFET транзистор, N-Channel, 30 В, 250 мОм, 5 нКл, 1.2 А, 0.54 Вт, SOT-23
Описание
11.69 руб./шт
Варианты цен
11.69 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMJ90N65SR, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS SR, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.033 Ом; Qg: 183 нКл; Id: 99 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS SR, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.033 Ом; Qg: 183 нКл; Id: 99 А; Корпус: TO-247
Описание
434.52 руб./шт
Варианты цен
434.52 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMJ90N65F2, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.033 Ом; Qg: 142 нКл; Id: 90 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.033 Ом; Qg: 142 нКл; Id: 90 А; Корпус: TO-247
Описание
791.95 руб./шт
Варианты цен
791.95 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMJ53N60F2, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0.062 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 50 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0.062 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 50 А; Корпус: TO-247
Описание
338.10 руб./шт
Варианты цен
338.10 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
