MOSFET транзистор WMO80R720S, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO80R720S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,68 Ом; Qg: 16 нКл; Id: 4,2 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO80R720S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,68 Ом; Qg: 16 нКл; Id: 4,2 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
62.81 руб./шт
Варианты цен
62.81 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMO80R1K5S, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO80R1K5S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 1,5 Ом; Qg: 11,2 нКл; Id: 3 А; Корпус: DPAK (TO-252).
Ключевые параметры WMO80R1K5S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 1,5 Ом; Qg: 11,2 нКл; Id: 3 А; Корпус: DPAK (TO-252).
Описание
55.66 руб./шт
Варианты цен
55.66 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMO80R1K0S, производителя WayOn
Ключевые параметры
Серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 1,05 Ом; Qg: 13,2 нКл; Id: 3,6 А; Корпус: DPAK (TO-252).
Ключевые параметры
Серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 1,05 Ом; Qg: 13,2 нКл; Id: 3,6 А; Корпус: DPAK (TO-252).
Описание
78.85 руб./шт
Варианты цен
78.85 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WML90R360S, производителя WayOn
Ключевые параметры WML90R360S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 900 В; Rds(on): 0,34 Ом; Qg: 32 нКл; Id: 7,8 А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML90R360S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 900 В; Rds(on): 0,34 Ом; Qg: 32 нКл; Id: 7,8 А; Корпус: TO-220F
Описание
187.10 руб./шт
Варианты цен
187.10 руб./шт
В корзину
DI020N06D1, MOSFET транзистор, полярность: N-Channel; V(br)dss: 60 В; Rds(on): 35 мОм; Qg: 25.3 нКл; Id: 20 А; Корпус: TO-252
Описание
20.58 руб./шт
Варианты цен
20.58 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMO80R480S, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO80R480S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,48 Ом; Qg: 25 нКл; Id: 7,2 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO80R480S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,48 Ом; Qg: 25 нКл; Id: 7,2 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
132.31 руб./шт
Варианты цен
132.31 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMO07N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO07N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 1,14 Ом; Qg: 5,2 нКл; Id: 2,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO07N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 1,14 Ом; Qg: 5,2 нКл; Id: 2,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
26.72 руб./шт
Варианты цен
26.72 руб./шт
В корзину
IRF840PBF, транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 8А, 125Вт, 0.85 Om, TO-220AB
Описание
58.40 руб./шт
Варианты цен
58.40 руб./шт
В корзину
DI110N15PQ, MOSFET транзистор, полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 11.7 мОм; Qg: 51 нКл; Id: 110 А; Корпус: Power QFN 5x6
Описание
75.11 руб./шт
Варианты цен
75.11 руб./шт
В корзину
IRF7342TRPBF, MOSFET транзистор, Dual P-Channel, 55 В, 105 мОм, 38 нКл, 3.4 А, 2 Вт, SO-8
Описание
49.08 руб./шт
Варианты цен
49.08 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WM03N57M, производителя WayOn
Ключевые параметры WM03N57M: серия Small Signal MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 0,036 Ом; Qg: 7,5 нКл; Id: 5,8 А; Корпус: SOT-23.
Ключевые параметры WM03N57M: серия Small Signal MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 0,036 Ом; Qg: 7,5 нКл; Id: 5,8 А; Корпус: SOT-23.
Описание
2.99 руб./шт
Варианты цен
2.99 руб./шт
В корзину
DI015N25D1, MOSFET транзистор, полярность: N-Channel; V(br)dss: 250 В; Rds(on): 245 мОм; Qg: 8.9 нКл; Id: 15 А; Корпус: TO-252
Описание
88.56 руб./шт
Варианты цен
88.56 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMO20N15T2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO20N15T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,088 Ом; Qg: 7,8 нКл; Id: 12,6 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO20N15T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,088 Ом; Qg: 7,8 нКл; Id: 12,6 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
25.39 руб./шт
Варианты цен
25.39 руб./шт
В корзину
DI070P04PQ-AQ, MOSFET транзистор, полярность: P-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 6.5 мОм; Qg: 125 нКл; Id: 70 А; Корпус: Power QFN 5x6
Описание
99.55 руб./шт
Варианты цен
99.55 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMK040N08HGS, производителя WayOn
Ключевые параметры WMK040N08HGS: серия SGT N Channel, Power MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 80 В; Rds(on): 0,0048 Ом; Qg: 78,5 нКл; Id: 114 А; Корпус: TO-220
Ключевые параметры WMK040N08HGS: серия SGT N Channel, Power MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 80 В; Rds(on): 0,0048 Ом; Qg: 78,5 нКл; Id: 114 А; Корпус: TO-220
Описание
76.18 руб./шт
Варианты цен
76.18 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WML15N65C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WML15N65C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0,3 Ом; Qg: 14,6 нКл; Id: 7,8 А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML15N65C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0,3 Ом; Qg: 14,6 нКл; Id: 7,8 А; Корпус: TO-220F
Описание
74.84 руб./шт
Варианты цен
74.84 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WML26N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WML26N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,19 Ом; Qg: 22,1 нКл; Id: 10,5 А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML26N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,19 Ом; Qg: 22,1 нКл; Id: 10,5 А; Корпус: TO-220F
Описание
81.77 руб./шт
Варианты цен
81.77 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ53N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WMJ53N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0.07 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 26 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры WMJ53N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0.07 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 26 А; Корпус: TO-247
Описание
287.34 руб./шт
Варианты цен
287.34 руб./шт
В корзину
DIT195N08, MOSFET транзистор, полярность: N-Channel; V(br)dss: 85 В; Rds(on): 3.5 мОм; Qg: 296 нКл; Id: 215 А; Корпус: ТО-220
Описание
191.59 руб./шт
Варианты цен
191.59 руб./шт
В корзину
IXFN110N60P3, MOSFET транзистор, N-Channel, 600 В, 56 мОм, 245 нКл, 90 А, SOT-227B
Описание
3 396.26 руб./шт
Варианты цен
3 396.26 руб./шт
В корзину
