MOSFET транзистор WMK161N15T2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMK161N15T2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,006 Ом; Qg: 78 нКл; Id: 115 А; Корпус: TO-220
Ключевые параметры WMK161N15T2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,006 Ом; Qg: 78 нКл; Id: 115 А; Корпус: TO-220
Описание
169.45 руб./шт
Варианты цен
169.45 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ80N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WMJ80N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,039 Ом; Qg: 103 нКл; Id: 45 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры WMJ80N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,039 Ом; Qg: 103 нКл; Id: 45 А; Корпус: TO-247
Описание
457.93 руб./шт
Варианты цен
457.93 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ36N65F2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMJ36N65F2: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0,11 Ом; Qg: 46 нКл; Id: 20 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры WMJ36N65F2: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0,11 Ом; Qg: 46 нКл; Id: 20 А; Корпус: TO-247
Описание
271.66 руб./шт
Варианты цен
271.66 руб./шт
В корзину
ВЧ и СВЧ компонент MOSFET, 527ГГц, 1Вт, Широкополосный транзистор, 7.2В, 15 дБ
Описание
77.70 руб./шт
Варианты цен
77.70 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ53N65C4, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.06 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 50 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.06 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 50 А; Корпус: TO-247
Описание
271.66 руб./шт
Варианты цен
271.66 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WML13N50C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WML13N50C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 500 В; Rds(on): 0,48 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 6 А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML13N50C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 500 В; Rds(on): 0,48 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 6 А; Корпус: TO-220F
Описание
33.37 руб./шт
Варианты цен
33.37 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMO10N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO10N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,6 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 4,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO10N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,6 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 4,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
27.78 руб./шт
Варианты цен
27.78 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор DI110N04PQ, производителя Diotec
Полярность: N-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 1.9 мОм; Id: 110 А; P: 45 W; Корпус: QFN5x6
Полярность: N-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 1.9 мОм; Id: 110 А; P: 45 W; Корпус: QFN5x6
Описание
32.96 руб./шт
Варианты цен
32.96 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WML099N10HGS, производителя WayOn
Ключевые параметры WML099N10HGS: SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 9,9 мОм; Qg: 59,5 нКл; Id: 37А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML099N10HGS: SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 9,9 мОм; Qg: 59,5 нКл; Id: 37А; Корпус: TO-220F
Описание
30.08 руб./шт
Варианты цен
30.08 руб./шт
В корзину
594.29 руб./шт
Варианты цен
594.29 руб./шт
В корзину
1 066.61 руб./шт
Варианты цен
1 066.61 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор P-Channel, -100В, 60 мОм, 150 нКл, -38А, TO-220AB
Описание
124.45 руб./шт
Варианты цен
124.45 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ12N120D1, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия VDMOS D1, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 1.25 Ом; Qg: 94 нКл; Id: 12 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия VDMOS D1, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 1.25 Ом; Qg: 94 нКл; Id: 12 А; Корпус: TO-247
Описание
177.22 руб./шт
Варианты цен
177.22 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ80N65F2, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.044 Ом; Qg: 103 нКл; Id: 80 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.044 Ом; Qg: 103 нКл; Id: 80 А; Корпус: TO-247
Описание
357.65 руб./шт
Варианты цен
357.65 руб./шт
В корзину
309.06 руб./шт
Варианты цен
309.06 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMK340N20HG2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMK340N20HG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 0,034 Ом; Qg: 23 нКл; Id: 31,6 А; Корпус: TO-220
Ключевые параметры WMK340N20HG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 0,034 Ом; Qg: 23 нКл; Id: 31,6 А; Корпус: TO-220
Описание
109.57 руб./шт
Варианты цен
109.57 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ90R260S, производителя WayOn
Ключевые параметры WMJ90R260S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 900 В; Rds(on): 0.26 Ом; Qg: 39.5 нКл; Id: 18 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры WMJ90R260S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 900 В; Rds(on): 0.26 Ом; Qg: 39.5 нКл; Id: 18 А; Корпус: TO-247
Описание
200.51 руб./шт
Варианты цен
200.51 руб./шт
В корзину
